SIHG28N60EF-GE3
Код товара: 10859922
Цена от:
581,73 руб.
Нет в наличии
Описание SIHG28N60EF-GE3
N-Channel MOSFET with Fast Diode, EF Series, Vishay Semiconductor
Brand | Vishay |
---|---|
Тип канала | N |
Максимальный непрерывный ток стока | 28 A |
Максимальное напряжение сток-исток | 600 В |
Тип корпуса | TO-247AC |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
Число контактов | 3 |
Максимальное сопротивление сток-исток | 123 мΩ |
Номер канала | Поднятие |
Минимальное пороговое напряжение включения | 2V |
Максимальное рассеяние мощности | 250 Вт |
Конфигурация транзистора | Одинарный |
Максимальное напряжение затвор-исток | -30 В, +30 В |
Количество элементов на ИС | 1 |
Ширина | 5.31мм |
Прямое напряжение диода | 1.2V |
Типичный заряд затвора при Vgs | 80 нКл при 10 В |
Материал транзистора | Кремний |
Длина | 15.87мм |
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Серия | EF Series |
Высота | 20.82мм |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Страна происхождения | CN |
Способы доставки в Калининград
Доставка SIHG28N60EF-GE3
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 794 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 288 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2155 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 747 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара