IPP126N10N3 G
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IPP126N10N3 G
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
| Brand | Infineon |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 58 А |
| Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| Тип корпуса | TO-220 |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 23,5 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 3.5V |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 2V |
| Максимальное рассеяние мощности | 94 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Серия | OptiMOS 3 |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Прямое напряжение диода | 1.2V |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Длина | 10.36мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 26 нКл при 10 В |
| Высота | 15.95мм |
| Ширина | 4.57мм |
| Материал транзистора | Кремний |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара