BSP613P
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание BSP613P
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.
| Brand | Infineon |
|---|---|
| Тип канала | P |
| Максимальный непрерывный ток стока | 2,9 А |
| Максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
| Тип корпуса | SOT-223 |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 3 + Tab |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 130 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 4V |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 2.1V |
| Максимальное рассеяние мощности | 10,8 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Серия | SIPMOS |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Высота | 1.5мм |
| Ширина | 40мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Прямое напряжение диода | 1.1V |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Длина | 40мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 22 нКл при 10 В |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара