NGTB25N120SWG
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание NGTB25N120SWG
IGBT Discretes, ON Semiconductor Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
| Brand | onsemi |
|---|---|
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 50 A |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 1200 В |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
| Максимальное рассеяние мощности | 385 Вт |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Тип канала | N |
| Число контактов | 3 |
| Скорость переключения | 1МГц |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Размеры | 16.25 x 5.3 x 21.4мм |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Емкость затвора | 4420пФ |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Страна происхождения | CN |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара