MDF3N50TH
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание MDF3N50TH
High Voltage (HV) MOSFET High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.
| Brand | MagnaChip |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 2,8 А |
| Максимальное напряжение сток-исток | 500 В |
| Тип корпуса | TO-220F |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 2,5 Ω |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное рассеяние мощности | 30,5 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 В, +30 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Высота | 16.13мм |
| Ширина | 4.93мм |
| Прямое напряжение диода | 1.4V |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 10.71мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 6,75 нКл при 10 В |
| Материал транзистора | Кремний |
| Страна происхождения | CN |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара