MMF60R190PTH
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание MMF60R190PTH
Super Junction (SJ) MOSFET These MOSFET use MagnaChip's Super Junction technology to provide low on-resistance and gate charge. They are highly efficient through the use of optimised charge coupling technology.
| Brand | MagnaChip |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 20 А |
| Максимальное напряжение сток-исток | 600 В |
| Тип корпуса | TO-220F |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 190 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 4V |
| Максимальное рассеяние мощности | 34 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 В, +30 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Прямое напряжение диода | 1.4V |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 10.71мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 51 нКл при 10 В |
| Высота | 16.13мм |
| Ширина | 4.93мм |
| Материал транзистора | Кремний |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара