MDF11N60BTH
Описание MDF11N60BTH
High Voltage (HV) MOSFET High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.
Brand | MagnaChip |
---|---|
Тип канала | N |
Максимальный непрерывный ток стока | 11 A |
Максимальное напряжение сток-исток | 660 В |
Тип корпуса | TO-220F |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
Число контактов | 3 |
Максимальное сопротивление сток-исток | 550 мΩ |
Номер канала | Поднятие |
Максимальное пороговое напряжение включения | 5V |
Максимальное рассеяние мощности | 49 Вт |
Конфигурация транзистора | Одинарный |
Максимальное напряжение затвор-исток | -30 В, +30 В |
Количество элементов на ИС | 1 |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Прямое напряжение диода | 1.4V |
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Длина | 10.71мм |
Типичный заряд затвора при Vgs | 38,4 нКл при 10 В |
Высота | 16.13мм |
Ширина | 4.93мм |
Материал транзистора | Кремний |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара