STGWT40H65FB
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание STGWT40H65FB
IGBT Discretes, STMicroelectronics
| Brand | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 80 A |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 650 В |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
| Максимальное рассеяние мощности | 283 Вт |
| Тип корпуса | TO-3P |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Тип канала | N |
| Число контактов | 3 |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Размеры | 15.8 x 5 x 20.1мм |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара