BSZ100N03LSG
Код товара: 10851654
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
BSZ100N03LSG
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 12A 30V OPTIMOS3 TSDSON8EP
Цена от:
48,84 руб.
Нет в наличии
Описание BSZ100N03LSG
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, up to 40V OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
| Brand | Infineon |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 40 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 В |
| Тип корпуса | TSDSON |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 8 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 15 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 2.2V |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 1V |
| Максимальное рассеяние мощности | 30 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Серия | OptiMOS 3 |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 3.4мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 13 нКл при 10 В |
| Высота | 1.1мм |
| Ширина | 3.4мм |
| Материал транзистора | Кремний |
Способы доставки в Калининград
Доставка BSZ100N03LSG
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара