IPB100N06S2L-05

Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара

MOSFET N-CH 100A 55V OPTIMOS TO263

Код товара: 10851650
Дата обновления: 16.02.2022 10:30
Доставка IPB100N06S2L-05 в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание IPB100N06S2L-05

Infineon OptiMOS™ Power MOSFET Family OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

BrandInfineon
Тип каналаN
Максимальный непрерывный ток стока100 А
Максимальное напряжение сток-исток55 В
Тип корпусаD2PAK (TO-263)
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Число контактов3
Максимальное сопротивление сток-исток5,9 мΩ
Номер каналаПоднятие
Максимальное пороговое напряжение включения2V
Минимальное пороговое напряжение включения1.2V
Максимальное рассеяние мощности300 Вт
Конфигурация транзистораОдинарный
Максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
Количество элементов на ИС1
СерияOptiMOS
Минимальная рабочая температура-55 °C
Максимальная рабочая температура+175 °C
Длина10.31мм
Типичный заряд затвора при Vgs170 нКл при 10 В
Высота4.57мм
Ширина9.45мм
Материал транзистораКремний