IPB80N06S4L05ATMA2
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
MOSFET N-CH 80A 60V OPTIMOS-T2 TO263
Артикул:
IPB80N06S4L05ATMA2
Производитель:
Описание IPB80N06S4L05ATMA2
Infineon OptiMOS™ T2 Power MOSFETs Infineon’s new OptiMOS ™ -T2 has a range of energy efficient MOSFET transistors with CO2 reduction and electric drives. The new OptiMOS™ -T2 product family extends the existing families of OptiMOS™ -T and OptiMOS™.
OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
| Brand | Infineon |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 80 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
| Тип корпуса | D2PAK (TO-263) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 8,5 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 2V |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 1.2V |
| Максимальное рассеяние мощности | 107 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -16 В, +16 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Серия | OptiMOS T2 |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Материал транзистора | Кремний |
| Длина | 10мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 83 нКл при 10 В |
| Высота | 4.4мм |
| Ширина | 9.25мм |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара