BSC060P03NS3EG
Код товара: 10851295
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
BSC060P03NS3EG
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET P-CH 17.7A 30V OPTIMOS P3 TDSON8
Цена от:
101,22 руб.
Нет в наличии
Описание BSC060P03NS3EG
Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.
| Brand | Infineon |
|---|---|
| Тип канала | P |
| Максимальный непрерывный ток стока | 100 А |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 В |
| Тип корпуса | TDSON |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 8 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 9,6 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 1.9V |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 3.1V |
| Максимальное рассеяние мощности | 83 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -25 В, +25 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Материал транзистора | Кремний |
| Серия | OptiMOS P |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 6.35мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 61 нКл при 10 В |
| Высота | 1.1мм |
| Ширина | 5.35мм |
Способы доставки в Калининград
Доставка BSC060P03NS3EG
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара