BSZ12DN20NS3G
Код товара: 10851294
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
BSZ12DN20NS3G
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 11.3A 200V OPTIMOS3 TSDSON8
Цена от:
102,62 руб.
Нет в наличии
Описание BSZ12DN20NS3G
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
| Brand | Infineon |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 11,3 А |
| Максимальное напряжение сток-исток | 200 В |
| Тип корпуса | TSDSON |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 8 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 125 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 4V |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 2V |
| Максимальное рассеяние мощности | 50 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 6,5 нКл при 10 В |
| Высота | 1.1мм |
| Ширина | 3.4мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 3.4мм |
| Серия | OptiMOS 3 |
Способы доставки в Калининград
Доставка BSZ12DN20NS3G
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 813 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 715 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2242 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара