IPB020NE7N3G
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IPB020NE7N3G
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 to 80V OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.
| Brand | Infineon |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 120 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 75 В |
| Тип корпуса | D2PAK (TO-263) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 2 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 3.8V |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 2.3V |
| Максимальное рассеяние мощности | 300 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Серия | OptiMOS 3 |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Материал транзистора | Кремний |
| Длина | 10.31мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 155 нКл при 10 В |
| Высота | 4.57мм |
| Ширина | 9.45мм |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара