SQD50N04-4M5L-GE3
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SQD50N04-4M5L-GE3
N-Channel MOSFET, Automotive SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor The SQ series of MOSFETs from Vishay Semiconductor are designed for all automotive applications requiring ruggedness and high reliability.
| Brand | Vishay |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 50 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 40 В |
| Тип корпуса | DPAK (TO-252) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 6,8 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 1.5V |
| Максимальное рассеяние мощности | 136 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Автомобильный стандарт | AEC-Q101 |
| Длина | 6.73мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 85 нКл при 10 В |
| Высота | 2.38мм |
| Ширина | 6.22мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Серия | SQ Rugged |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Страна происхождения | TW |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара