SQD19P06-60L_GE3
Код товара: 10850269
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
177,63 руб.
Нет в наличии
Описание SQD19P06-60L_GE3
P-Channel MOSFET, SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor
| Brand | Vishay |
|---|---|
| Тип канала | P |
| Максимальный непрерывный ток стока | 11 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
| Тип корпуса | DPAK (TO-252) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 125 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 1.5V |
| Максимальное рассеяние мощности | 46 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Серия | SQ Rugged |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Длина | 6.73мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 27 нКл при 10 В |
| Высота | 2.38мм |
| Ширина | 6.22мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Страна происхождения | TW |
Способы доставки в Калининград
Доставка SQD19P06-60L_GE3
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара