SISS23DN-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SISS23DN-T1-GE3
P-Channel MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
| Brand | Vishay |
|---|---|
| Тип канала | P |
| Максимальный непрерывный ток стока | 27 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 20 В |
| Тип корпуса | PowerPAK 1212 |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 8 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 11,5 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 0.4V |
| Максимальное рассеяние мощности | 57 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -8 В, +8 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Материал транзистора | Кремний |
| Длина | 3.3мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 195 нКл при 10 В |
| Высота | 0.78мм |
| Ширина | 3.3мм |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Серия | TrenchFET |
| Страна происхождения | CN |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара