IXYH20N120C3
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IXYH20N120C3
IGBT Discretes, IXYS XPT series The XPT™ range of discrete IGBTs from IXYS feature Extreme-light Punch-Through thin wafer technology, resulting in reduced thermal resistance and lower energy losses. These devices offer fast switching times with low tail current, and are available in a variety of industry standard and proprietary packages.
| Brand | IXYS |
|---|---|
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 40 A |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 1200 В |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
| Максимальное рассеяние мощности | 278 Вт |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Тип канала | N |
| Число контактов | 3 |
| Скорость переключения | 50кГц |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Размеры | 16.26 x 5.3 x 21.46мм |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара