FDU7N60NZTU
Код товара: 10847906
Цена от:
84,90 руб.
Нет в наличии
Описание FDU7N60NZTU
UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.
Brand | onsemi |
---|---|
Тип канала | N |
Максимальный непрерывный ток стока | 5,5 А |
Максимальное напряжение сток-исток | 600 В |
Тип корпуса | IPAK (TO-251) |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
Число контактов | 3 |
Максимальное сопротивление сток-исток | 1,25 Ом |
Номер канала | Поднятие |
Минимальное пороговое напряжение включения | 3V |
Максимальное рассеяние мощности | 90 Вт |
Конфигурация транзистора | Одинарный |
Максимальное напряжение затвор-исток | -25 В, +25 В |
Количество элементов на ИС | 1 |
Ширина | 2.5мм |
Материал транзистора | Кремний |
Серия | UniFET |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Длина | 6.8мм |
Типичный заряд затвора при Vgs | 13 нКл при 10 В |
Высота | 7.57мм |
Способы доставки в Калининград
Доставка FDU7N60NZTU
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 832 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 767 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара