FDU7N60NZTU
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание FDU7N60NZTU
UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.
| Brand | onsemi |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 5,5 А |
| Максимальное напряжение сток-исток | 600 В |
| Тип корпуса | IPAK (TO-251) |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 1,25 Ом |
| Номер канала | Поднятие |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 3V |
| Максимальное рассеяние мощности | 90 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -25 В, +25 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Ширина | 2.5мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Серия | UniFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 6.8мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 13 нКл при 10 В |
| Высота | 7.57мм |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара