IXFH50N60P3
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IXFH50N60P3
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.
| Brand | IXYS |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 50 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 600 В |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 145 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 5V |
| Максимальное рассеяние мощности | 1,04 кВт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 В, +30 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 16.26мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 94 нКл при 10 В |
| Серия | HiperFET, Q3-Class |
| Высота | 21.46мм |
| Ширина | 5.3мм |
| Материал транзистора | Кремний |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара