ECH8663R-TL-H
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание ECH8663R-TL-H
Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor
| Brand | onsemi |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 8 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 В |
| Тип корпуса | ECH |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 8 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 28 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 1.3V |
| Максимальное рассеяние мощности | 1,4 Вт |
| Конфигурация транзистора | Общий дренаж |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -12 В, +12 В |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 2.9мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 12,3 нКл при 4,5 В |
| Высота | 0.9мм |
| Ширина | 2.3мм |
| Материал транзистора | Кремний |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара