IXFK32N100Q3
Код товара: 10847256
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IXFK32N100Q3
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 1000V 32A Q3 HIPERFET TO264
Цена от:
3 301,61 руб.
Нет в наличии
Описание IXFK32N100Q3
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.
| Brand | IXYS |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 32 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 1000 В |
| Тип корпуса | TO-264 |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 320 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 6.5V |
| Максимальное рассеяние мощности | 1,25 кВт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 В, +30 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Серия | HiperFET, Q3-Class |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 19.96мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 195 нКл при 10 В |
| Высота | 26.16мм |
| Ширина | 5.13мм |
| Материал транзистора | Кремний |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXFK32N100Q3
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара