STP360N4F6
Описание STP360N4F6
N-Channel STripFET™ DeepGate™, STMicroelectronics STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Brand | STMicroelectronics |
---|---|
Тип канала | N |
Максимальный непрерывный ток стока | 120 A |
Максимальное напряжение сток-исток | 40 В |
Тип корпуса | TO-220 |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
Число контактов | 3 |
Максимальное сопротивление сток-исток | 1,8 мΩ |
Номер канала | Поднятие |
Максимальное пороговое напряжение включения | 4.5V |
Минимальное пороговое напряжение включения | 3V |
Максимальное рассеяние мощности | 300 Вт |
Конфигурация транзистора | Одинарный |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Количество элементов на ИС | 1 |
Максимальная рабочая температура | +175 °C |
Длина | 10.4мм |
Типичный заряд затвора при Vgs | 340 нКл при 10 В |
Высота | 15.75мм |
Ширина | 4.6мм |
Серия | DeepGate, STripFET |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Материал транзистора | Кремний |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара