STH80N10F7-2
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание STH80N10F7-2
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
| Brand | STMicroelectronics |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 80 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| Тип корпуса | H2PAK-2 |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 9,5 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 4.5V |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 2.5V |
| Максимальное рассеяние мощности | 110 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Серия | STripFET H7 |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Длина | 10.4мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 45 нКл при 10 В |
| Высота | 4.8мм |
| Ширина | 9.17мм |
| Материал транзистора | Кремний |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара