STH80N10F7-2
Код товара: 10845809
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STH80N10F7-2
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET 100V 0.0097 OHM
Цена от:
184,91 руб.
Нет в наличии
Описание STH80N10F7-2
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
| Brand | STMicroelectronics |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 80 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| Тип корпуса | H2PAK-2 |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 9,5 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 4.5V |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 2.5V |
| Максимальное рассеяние мощности | 110 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Серия | STripFET H7 |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Длина | 10.4мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 45 нКл при 10 В |
| Высота | 4.8мм |
| Ширина | 9.17мм |
| Материал транзистора | Кремний |
Способы доставки в Калининград
Доставка STH80N10F7-2
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 858 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 757 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара