STH270N8F7-2
Описание STH270N8F7-2
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Brand | STMicroelectronics |
---|---|
Тип канала | N |
Максимальный непрерывный ток стока | 180 A |
Максимальное напряжение сток-исток | 80 В |
Тип корпуса | H2PAK-2 |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Число контактов | 3 |
Максимальное сопротивление сток-исток | 21 мΩ |
Номер канала | Поднятие |
Максимальное пороговое напряжение включения | 4V |
Минимальное пороговое напряжение включения | 2V |
Максимальное рассеяние мощности | 315 Вт |
Конфигурация транзистора | Одинарный |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Количество элементов на ИС | 1 |
Максимальная рабочая температура | +175 °C |
Длина | 10.4мм |
Типичный заряд затвора при Vgs | 193 нКл при 10 В |
Высота | 4.8мм |
Ширина | 15.8мм |
Материал транзистора | Кремний |
Серия | STripFET H7 |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара