STF25N10F7
Описание STF25N10F7
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Brand | STMicroelectronics |
---|---|
Тип канала | N |
Максимальный непрерывный ток стока | 25 А |
Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
Тип корпуса | TO-220FP |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
Число контактов | 3 |
Максимальное сопротивление сток-исток | 35 мΩ |
Номер канала | Поднятие |
Максимальное пороговое напряжение включения | 4.5V |
Минимальное пороговое напряжение включения | 2.5V |
Максимальное рассеяние мощности | 25 Вт |
Конфигурация транзистора | Одинарный |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Количество элементов на ИС | 1 |
Серия | STripFET H7 |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Максимальная рабочая температура | +175 °C |
Длина | 10.4мм |
Типичный заряд затвора при Vgs | 14 нКл при 10 В |
Высота | 16.4мм |
Ширина | 4.6мм |
Материал транзистора | Кремний |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара