SIHG460B-GE3
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SIHG460B-GE3
N-Channel MOSFET, D Series High Voltage, Vishay Semiconductor
| Brand | Vishay |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 20 А |
| Максимальное напряжение сток-исток | 500 В |
| Тип корпуса | TO-247AC |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 250 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 2V |
| Максимальное рассеяние мощности | 278 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 В, +30 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Серия | D Series |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 15.87мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 85 нКл при 10 В |
| Высота | 20.82мм |
| Ширина | 5.31мм |
| Материал транзистора | Кремний |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара