STI57N65M5
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание STI57N65M5
N-channel MDmesh™ M5 Series, STMicroelectronics The MDmesh M5 power MOSFETs are optimised for high-power PFC and PWM topologies. Main features include a low on-state losses per silicon area combined with low gate charge. They are designed for energy-conscious, compact and reliable hard switching applications, such as solar power converters, power supplies for consumer products and electronic lighting controls.
| Brand | STMicroelectronics |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 42 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 710 В |
| Тип корпуса | I2PAK (TO-262) |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 63 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 5V |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 3V |
| Максимальное рассеяние мощности | 250 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -25 В, +25 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 98 нКл при 10 В |
| Серия | MDmesh M5 |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 10.4мм |
| Высота | 9.35мм |
| Ширина | 4.6мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Страна происхождения | CN |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара