FDB088N08
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание FDB088N08
PowerTrench® N-Channel MOSFET, over 60A, Fairchild Semiconductor
| Brand | onsemi |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 120 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 75 В |
| Тип корпуса | D2PAK (TO-263) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 8,8 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 2V |
| Максимальное рассеяние мощности | 160 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 91 нКл при 10 В |
| Высота | 4.83мм |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Длина | 10.67мм |
| Ширина | 11.33мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Серия | PowerTrench |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Страна происхождения | CN |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара