SPD04N50C3
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание SPD04N50C3
Infineon CoolMOS™C3 Power MOSFET
| Brand | Infineon |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 4,5 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 560 В |
| Тип корпуса | DPAK (TO-252) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 950 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 3.9V |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 2.1V |
| Максимальное рассеяние мощности | 50 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Серия | CoolMOS C3 |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 22 нКл при 10 В |
| Высота | 2.41мм |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 6.73мм |
| Ширина | 6.22мм |
| Материал транзистора | Кремний |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара