BSS169
Описание BSS169
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs
Brand | Infineon |
---|---|
Тип канала | N |
Максимальный непрерывный ток стока | 170 мА |
Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
Тип корпуса | SOT-23 |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Число контактов | 3 |
Максимальное сопротивление сток-исток | 12 Ω |
Номер канала | Опускание |
Максимальное пороговое напряжение включения | 1.8V |
Минимальное пороговое напряжение включения | 2.9V |
Максимальное рассеяние мощности | 360 мВт |
Конфигурация транзистора | Одинарный |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Количество элементов на ИС | 1 |
Серия | SIPMOS |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Типичный заряд затвора при Vgs | 0,12 нКл при 7 В |
Высота | 1мм |
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Длина | 2.9мм |
Ширина | 1.3мм |
Материал транзистора | Кремний |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара