NDD05N50ZT4G
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание NDD05N50ZT4G
N-Channel Power MOSFET, 100V to 1700V, ON Semiconductor
| Brand | onsemi |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 5,5 А |
| Максимальное напряжение сток-исток | 500 В |
| Тип корпуса | DPAK (TO-252) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 1,5 Ω |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 4.5V |
| Максимальное рассеяние мощности | 117 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 В, +30 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 18,5 нКл при 10 В |
| Высота | 2.38мм |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 6.73мм |
| Ширина | 6.22мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара