EM6K1T2R
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание EM6K1T2R
Dual N-Channel MOSFET Transistors, ROHM
| Brand | ROHM |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 100 А |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 В |
| Тип корпуса | EMT |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 6 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 8 Ω |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 1.5V |
| Максимальное рассеяние мощности | 120 Вт |
| Конфигурация транзистора | Изолированный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Материал транзистора | Кремний |
| Высота | 0.5мм |
| Длина | 1.6мм |
| Ширина | 1.2мм |
| Страна происхождения | JP |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара