BSP89
Описание BSP89
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs
Brand | Infineon |
---|---|
Тип канала | N |
Максимальный непрерывный ток стока | 350 мА |
Максимальное напряжение сток-исток | 240 В |
Тип корпуса | SOT-223 |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Число контактов | 3 + Tab |
Максимальное сопротивление сток-исток | 6 Ω |
Номер канала | Поднятие |
Максимальное пороговое напряжение включения | 1.8V |
Минимальное пороговое напряжение включения | 0.8V |
Максимальное рассеяние мощности | 1,8 Вт |
Конфигурация транзистора | Одинарный |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Количество элементов на ИС | 1 |
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Длина | 6.5мм |
Ширина | 3.5мм |
Серия | SIPMOS |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Типичный заряд затвора при Vgs | 4,3 нКл при 10 В |
Высота | 1.6мм |
Материал транзистора | Кремний |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара