BFR35AP
Описание BFR35AP
RF Bipolar Transistors, Infineon
Brand | Infineon |
---|---|
Тип транзистора | NPN |
Максимальный пост. ток коллектора | 45 мА |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 15 В |
Тип корпуса | SOT-23 |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Максимальное рассеяние мощности | 280 мВт |
Конфигурация транзистора | Одинарный |
Максимальное напряжение коллектор-база | 20 В |
Максимальное напряжение эмиттер-база | 2,5 В |
Максимальная рабочая частота | 5000 MHz |
Число контактов | 3 |
Количество элементов на ИС | 1 |
Размеры | 1 x 2.9 x 1.3мм |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара