PBSS5160DS
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание PBSS5160DS
Low Saturation Voltage PNP Transistors A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
| Brand | Nexperia |
|---|---|
| Тип транзистора | PNP |
| Максимальный пост. ток коллектора | 1 A |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 60 В |
| Тип корпуса | Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Максимальное рассеяние мощности | 700 мВт |
| Конфигурация транзистора | Изолированный |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 80 В |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| Максимальная рабочая частота | 185 МГц |
| Число контактов | 6 |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Размеры | 1 x 3.1 x 1.7мм |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара