BSP149
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание BSP149
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs
| Brand | Infineon |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 660 мА |
| Максимальное напряжение сток-исток | 200 В |
| Тип корпуса | SOT-223 |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 3 + Tab |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 1,8 Ω |
| Номер канала | Опускание |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 1V |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 2.1V |
| Максимальное рассеяние мощности | 1,8 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Серия | SIPMOS |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 11 нКл при 5 В |
| Высота | 1.6мм |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 6.5мм |
| Ширина | 3.5мм |
| Материал транзистора | Кремний |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара