MMBF4393LT1G, Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт

Код товара: 108027

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
MMBF4393LT1G
Производитель:
Описание Eng:
JFET N-CH 30V 225mW SOT23
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
SOT-23
Напряжение Сток-Исток Макс:
30 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
500 мВ
Мощность Макс.:
225 мВт

Технические параметры

Напряжение Сток-Исток Макс

30 В

Проводимость (N/P)

N-канальный

Напряжение отсечки (при токе)

500 мВ

Мощность Макс.

225 мВт

Корпус

SOT-23

Вес брутто

0.03 г.

Описание MMBF4393LT1G

The MMBF4393LT1G is a N-channel JFET Switching Transistor designed for analogue switching and chopper applications.

• 30VDC Drain-source voltage
• 30VDC Drain-gate voltage
• 30VDC Gate-source voltage
• 50mA Forward gate current

Максимальная рабочая температура+150 °C
Длина3.04мм
Transistor ConfigurationОдинарный
Емкость исток-затвор14 pF @ -15 V
Запирающий ток сток-исток Idss5 → 30mA
ПроизводительON Semiconductor
Емкость сток-затвор14 pF @ 0 V
Тип корпусаSOT-23
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура-55 °C
Ширина1.4мм
Высота1.01
Максимальное сопротивление сток-исток100 Ω
Максимальное напряжение сток-затвор30V
Максимальное напряжение сток-исток30 V
Число контактов3
Размеры3.04 x 1.4 x 1.01мм
КонфигурацияОдинарный
Тип каналаN
Максимальное напряжение затвор-исток+30 В
Вес, г0.05

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка MMBF4393LT1G , Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 755
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 706
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2177
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.