IXFN82N60P
Код товара: 10777337
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IXFN82N60P
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CHANNEL 600V 72A SOT227B
Цена от:
3 399,67 руб.
Нет в наличии
Описание IXFN82N60P
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
| Brand | IXYS |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 72 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 600 В |
| Тип корпуса | SOT-227B |
| Тип монтажа | Монтаж на панель |
| Число контактов | 4 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 75 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 5V |
| Максимальное рассеяние мощности | 1,04 кВт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 В, +30 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Серия | HiperFET, Polar |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 240 нКл при 10 В |
| Высота | 9.6мм |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 38.2мм |
| Ширина | 25.07мм |
| Материал транзистора | Кремний |
Способы доставки в Калининград
Доставка IXFN82N60P
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара