IXFN82N60P
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IXFN82N60P
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
| Brand | IXYS |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 72 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 600 В |
| Тип корпуса | SOT-227B |
| Тип монтажа | Монтаж на панель |
| Число контактов | 4 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 75 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 5V |
| Максимальное рассеяние мощности | 1,04 кВт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 В, +30 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Серия | HiperFET, Polar |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 240 нКл при 10 В |
| Высота | 9.6мм |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 38.2мм |
| Ширина | 25.07мм |
| Материал транзистора | Кремний |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара