IXFP10N80P
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IXFP10N80P
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
| Brand | IXYS |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 10 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 800 В |
| Тип корпуса | TO-220 |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 1,1 Ω |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 5.5V |
| Максимальное рассеяние мощности | 300 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 В, +30 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Серия | HiperFET, Polar |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 40 нКл при 10 В |
| Высота | 9.15мм |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 10.66мм |
| Ширина | 4.83мм |
| Материал транзистора | Кремний |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара