NVMTS0D7N04CTXG

Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара

ON SEMICONDUCTOR, NVMTS0D7N04CTXG

Код товара: 10773384
Дата обновления: 16.02.2022 10:30
Доставка NVMTS0D7N04CTXG в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание NVMTS0D7N04CTXG

Brandonsemi
Тип каналаN
Максимальный непрерывный ток стока420 A
Максимальное напряжение сток-исток40 В
Тип корпусаDFNW
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Число контактов8
Максимальное сопротивление сток-исток670 μΩ
Номер каналаПоднятие
Максимальное пороговое напряжение включения4V
Минимальное пороговое напряжение включения2V
Максимальное рассеяние мощности205 Вт
Конфигурация транзистораОдинарный
Максимальное напряжение затвор-исток±20 В
Количество элементов на ИС1
Высота1.15мм
Ширина8мм
Минимальная рабочая температура-55 °C
Прямое напряжение диода1.2V
Максимальная рабочая температура+175 °C
Автомобильный стандартAEC-Q101
Длина8.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs140 нКл при 10 В
Страна происхожденияPH