SISH617DN-T1-GE3
Код товара: 10768387
Цена от:
60,50 руб.
Нет в наличии
Описание SISH617DN-T1-GE3
| Brand | Vishay Siliconix |
|---|---|
| Тип канала | P |
| Максимальный непрерывный ток стока | 35 А |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 В |
| Тип корпуса | 1212 |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 8 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 20 мОм |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 2.5V |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 1.2V |
| Максимальное рассеяние мощности | 52 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | ±25 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Высота | 1.07мм |
| Ширина | 3.15мм |
| Серия | TrenchFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Прямое напряжение диода | 1.2V |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Материал транзистора | Кремний |
| Длина | 3.15мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 39 нКл при 10 В |
| Страна происхождения | CN |
Способы доставки в Калининград
Доставка SISH617DN-T1-GE3
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара