SISH617DN-T1-GE3
Код товара: 10768387
Цена от:
60,50 руб.
Нет в наличии
Описание SISH617DN-T1-GE3
Brand | Vishay Siliconix |
---|---|
Тип канала | P |
Максимальный непрерывный ток стока | 35 А |
Максимальное напряжение сток-исток | 30 В |
Тип корпуса | 1212 |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Число контактов | 8 |
Максимальное сопротивление сток-исток | 20 мОм |
Номер канала | Поднятие |
Максимальное пороговое напряжение включения | 2.5V |
Минимальное пороговое напряжение включения | 1.2V |
Максимальное рассеяние мощности | 52 Вт |
Конфигурация транзистора | Одинарный |
Максимальное напряжение затвор-исток | ±25 В |
Количество элементов на ИС | 1 |
Высота | 1.07мм |
Ширина | 3.15мм |
Серия | TrenchFET |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Прямое напряжение диода | 1.2V |
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Материал транзистора | Кремний |
Длина | 3.15мм |
Типичный заряд затвора при Vgs | 39 нКл при 10 В |
Страна происхождения | CN |
Способы доставки в Калининград
Доставка SISH617DN-T1-GE3
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара