SIS110DN-T1-GE3
Код товара: 10768386
Цена от:
34,06 руб.
Нет в наличии
Описание SIS110DN-T1-GE3
| Brand | Vishay Siliconix |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 14,2 А |
| Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| Тип корпуса | 1212 |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 8 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 70 мОм |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 2V |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 4V |
| Максимальное рассеяние мощности | 24 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | ±20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Серия | TrenchFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Прямое напряжение диода | 1.2V |
| Высота | 1.07мм |
| Ширина | 3.15мм |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Материал транзистора | Кремний |
| Длина | 3.15мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 8,5 нКл при 10 В |
| Страна происхождения | CN |
Способы доставки в Калининград
Доставка SIS110DN-T1-GE3
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 813 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 715 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2242 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара