IPD053N08N3GATMA1

Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара

MOSFET N-CH 80V 90A OPTIMOS3 DPAK

Код товара: 10762793
Дата обновления: 16.02.2022 10:30
Доставка IPD053N08N3GATMA1 в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Описание IPD053N08N3GATMA1

BrandInfineon
Тип каналаN
Максимальный непрерывный ток стока90 A
Максимальное напряжение сток-исток80 В
Тип корпусаTO-252
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Число контактов3 + 2 Tab
Максимальное сопротивление сток-исток9,5 мΩ
Номер каналаПоднятие
Максимальное пороговое напряжение включения3.5V
Минимальное пороговое напряжение включения2V
Максимальное рассеяние мощности150 Вт
Конфигурация транзистораОдинарный
Максимальное напряжение затвор-исток20 В
Количество элементов на ИС1
Минимальная рабочая температура-55 °C
Прямое напряжение диода1.2V
Максимальная рабочая температура+175 °C
Длина6.73мм
Типичный заряд затвора при Vgs52 нКл при 10 В
Высота2.41мм
Ширина7.36мм
СерияIPD053N08N3 G