IXFB150N65X2
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание IXFB150N65X2
| Brand | IXYS |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 150 А |
| Максимальное напряжение сток-исток | 650 В |
| Тип корпуса | PLUS264 |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 17 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 5V |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 3.5V |
| Максимальное рассеяние мощности | 1,56 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | ±30 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Высота | 26.59мм |
| Ширина | 5.31мм |
| Серия | HiperFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Прямое напряжение диода | 1.4V |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 20.26мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 355 нКл при 10 В |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара