SIR158DP-T1-RE3
Код товара: 10756295
Цена от:
34,78 руб.
Нет в наличии
Описание SIR158DP-T1-RE3
N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor
Brand | Vishay |
---|---|
Тип канала | N |
Максимальный непрерывный ток стока | 60 А |
Максимальное напряжение сток-исток | 30 В |
Тип корпуса | SO |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Число контактов | 8 |
Максимальное сопротивление сток-исток | 2,3 мΩ |
Номер канала | Поднятие |
Максимальное пороговое напряжение включения | 2.5V |
Минимальное пороговое напряжение включения | 1.2V |
Максимальное рассеяние мощности | 83 Вт |
Конфигурация транзистора | Одинарный |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Количество элементов на ИС | 1 |
Высота | 1.12мм |
Ширина | 5.26мм |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Прямое напряжение диода | 1.1V |
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Длина | 6.25мм |
Типичный заряд затвора при Vgs | 87 нКл при 10 В |
Способы доставки в Калининград
Доставка SIR158DP-T1-RE3
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 900 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 797 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2524 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара