IKW50N65ES5XKSA1
Код товара: 10756012
Цена от:
422,34 руб.
Нет в наличии
Описание IKW50N65ES5XKSA1
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 600 and 650V A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 600 and 650V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
Brand | Infineon |
---|---|
Максимальный непрерывный ток коллектора | 80 A |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 650 В |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
Максимальное рассеяние мощности | 274 Вт |
Количество транзисторов | 1 |
Тип корпуса | TO-247 |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
Тип канала | N |
Число контактов | 3 |
Скорость переключения | 30кГц |
Конфигурация транзистора | Одинарный |
Размеры | 16.13 x 5.21 x 21.1мм |
Минимальная рабочая температура | -40 °C |
Емкость затвора | 3100пФ |
Максимальная рабочая температура | +175 °C |
Номинальная энергия | 1.78mJ |
Страна происхождения | CN |
Способы доставки в Калининград
Доставка IKW50N65ES5XKSA1
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара