TK8P60W5,RVQ(S
Описание TK8P60W5,RVQ(S
MOSFET N-channel, TK8 & TK9 Series, Toshiba
Brand | Toshiba |
---|---|
Тип канала | N |
Максимальный непрерывный ток стока | 8 A |
Максимальное напряжение сток-исток | 600 В |
Тип корпуса | DPAK (TO-252) |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Число контактов | 3 |
Максимальное сопротивление сток-исток | 560 мΩ |
Номер канала | Поднятие |
Максимальное пороговое напряжение включения | 4.5V |
Минимальное пороговое напряжение включения | 3V |
Максимальное рассеяние мощности | 80 Вт |
Конфигурация транзистора | Одинарный |
Максимальное напряжение затвор-исток | -30 В, +30 В |
Количество элементов на ИС | 1 |
Высота | 2.3мм |
Ширина | 6.1мм |
Серия | DTMOSIV |
Прямое напряжение диода | 1.7V |
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Материал транзистора | Кремний |
Длина | 6.6мм |
Типичный заряд затвора при Vgs | 22 нКл при 10 В |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара