TK14G65W,RQ(S
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание TK14G65W,RQ(S
| Brand | Toshiba |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 13,7 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 650 В |
| Тип корпуса | D2PAK (TO-263) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 250 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 3.5V |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 2.5V |
| Максимальное рассеяние мощности | 130 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 В, +30 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Высота | 4.46мм |
| Ширина | 8.8мм |
| Прямое напряжение диода | 1.7V |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Материал транзистора | Кремний |
| Длина | 10.35мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 35 нКл при 10 В |
| Серия | DTMOSIV |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара