STW56N60DM2
Код товара: 10750220
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
STW56N60DM2
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 600V 50A MDMESH DM2 TO-247
Цена от:
1 006,64 руб.
Нет в наличии
Описание STW56N60DM2
N-Channel MDmesh DM2 Series, STMicroelectronics The MDmesh DM2 MOSFETs offer low RDS(on) and with the Improved diode reverse recovery time for efficiency, this series is optimised for full-bridge phase-shifted ZVS topologies.
| Brand | STMicroelectronics |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 50 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 600 В |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 60 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 5V |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 3V |
| Максимальное рассеяние мощности | 360 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -25 В, +25 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Серия | MDmesh DM2 |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Прямое напряжение диода | 1.6V |
| Длина | 15.75мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 90 нКл при 10 В |
| Высота | 20.15мм |
| Ширина | 5.15мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Способы доставки в Калининград
Доставка STW56N60DM2
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара